Bezahlverfahren
BSC120N03LSG +BOM
N-channel Power MOSFET
8-PowerTDFN-
Hersteller:
Infineon Technologies
-
Herstellerteil #:
BSC120N03LSG
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Datenblatt:
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Series:
OptiMOS™
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FET Type:
N-Channel
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Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
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Drain To Source Voltage (Vdss):
30 V
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EDA/CAD Modelle:
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Verfügbarkeit: 9011 Stck
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BSC120N03LSG Allgemeine Beschreibung
The BSC120N03LS G power MOSFET is a versatile and reliable component that offers exceptional performance in power electronics applications. With its low on-state resistance, high power handling capability, and advanced MOSFET technology, it is a go-to choice for designers looking to optimize efficiency and reliability in power management circuits. Its ability to operate at high switching frequencies and its robust TO-263 package make it well-suited for demanding environments across various industries
Spezifikationen
Series | OptiMOS™ | FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 39A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 30A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 15 V | Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | BSC120 |
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In Stock: 9.011
Minimum Order: 1
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1+ | $1,423 | $1,42 |
10+ | $1,221 | $12,21 |
30+ | $1,096 | $32,88 |
100+ | $0,967 | $96,70 |
500+ | $0,908 | $454,00 |
1000+ | $0,883 | $883,00 |
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