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BSC120N03LSG +BOM

N-channel Power MOSFET

BSC120N03LSG Allgemeine Beschreibung

The BSC120N03LS G power MOSFET is a versatile and reliable component that offers exceptional performance in power electronics applications. With its low on-state resistance, high power handling capability, and advanced MOSFET technology, it is a go-to choice for designers looking to optimize efficiency and reliability in power management circuits. Its ability to operate at high switching frequencies and its robust TO-263 package make it well-suited for demanding environments across various industries

Spezifikationen

Series OptiMOS™ FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 39A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 15 V Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Base Product Number BSC120

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