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Siehe Technische Spezifikationen

BSC13DN30NSFDATMA1 +BOM

A 300V N-channel MOSFET transistor capable of carrying 16A of current, packaged in an 8-pin TDSON EP format and delivered on tape and reel

Hersteller:

Infineon Technologies
Herstellerteil #:

BSC13DN30NSFDATMA1
Datenblatt:

BSC13DN30NSFDATMA1 Datenblatt (PDF)
Series:

OptiMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

300 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BSC13DN30NSFDATMA1

BSC13DN30NSFDATMA1 Allgemeine Beschreibung

The BSC13DN30NSFDATMA1 semiconductor device from Infineon Technologies is a powerful MOSFET designed for high-speed switching applications. With a maximum drain-source voltage of 30V and a continuous drain current of 13A, this device offers efficient power management and motor control. Its low on-resistance of 5.4mΩ ensures high efficiency in power switching tasks, while its low gate charge and fast switching characteristics provide high performance in demanding applications. The small form factor DFN5020-7 package type enhances thermal performance and saves space, making it ideal for compact electronic designs. Additionally, the device is RoHS compliant, meeting strict environmental standards for hazardous substances

Spezifikationen

Series	OptiMOS™	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	300 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	16A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 16A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2450 pF @ 150 V	Power Dissipation (Max)	150W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	BSC13DN30

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