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Siehe Technische Spezifikationen

BSC190N12NS3G +BOM

This N-channel MOSFET, product code BSC190N12NS3 G, offers a low drain-source resistance of 19 milliohms at a gate-source voltage of 10 volts

Hersteller:

Infineon Technologies
Herstellerteil #:

BSC190N12NS3G
Datenblatt:

BSC190N12NS3G Datenblatt (PDF)
Series:

OptiMOS™
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

120 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BSC190N12NS3G

BSC190N12NS3G Allgemeine Beschreibung

N-Channel 120 V 8.6A (Ta), 44A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Spezifikationen

Series	OptiMOS™	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	120 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.6A (Ta), 44A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19mOhm @ 39A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 42µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2300 pF @ 60 V	Power Dissipation (Max)	69W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	BSC190

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