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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BSP52T1G +BOM

NPN Bipolar Darlington Transistor

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

BSP52T1G
Datenblatt:

BSP52T1G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

0.0318
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BSP52T1G

BSP52T1G Allgemeine Beschreibung

In conclusion, the BSP52T1G NPN Bipolar Darlington Transistor is a top-notch electronic component that delivers exceptional performance in switching applications. Its versatile design, compact package, and reliable operation make it an excellent choice for various industrial and commercial projects. Trust the BSP52T1G transistor to provide the power and efficiency you need for your next electronic project

Hauptmerkmale

High-reliability components with low failure rate
Suitable for use in high-vibration or high-shock environments
Meets or exceeds industry standards for reliability and performance
Designed for long-term stability and consistency

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	0.0318
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Product Category	Darlington Transistors	Configuration	Single
Transistor Polarity	NPN	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector- Base Voltage VCBO	90 V
Maximum DC Collector Current	1 A	Pd - Power Dissipation	800 mW
Mounting Style	SMD/SMT	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	BSP52
Continuous Collector Current	1 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	1000, 2000
Height	1.57 mm	Length	6.5 mm
Product Type	Darlington Transistors	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	Transistors	Width	3.5 mm
Unit Weight	0.007408 oz

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