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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BUF410A +BOM

Power Bipolar Transistor

Hersteller:

Stmicroelectronics
Herstellerteil #:

BUF410A
Datenblatt:

BUF410A Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

450 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BUF410A

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BUF410A Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 15 A 125 W Through Hole TO-247-3

Hauptmerkmale

Sustainable manufacturing process employed
Eco-friendly packaging options available
Durable product longevity ensured
Full range of accessories and tools provided

Anwendung

High quality amplifiers
Industrial controllers
Robotics applications

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	450 V	Collector- Base Voltage VCBO	1 kV
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Maximum DC Collector Current	15 A
Pd - Power Dissipation	125 W	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	BUF410A
Continuous Collector Current	15 A	Height	20.15 mm
Length	15.75 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	5.15 mm
Unit Weight	0.229281 oz

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