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BUR52 +BOM

BJT ROHS compliant design ensures quality and safety compliance for your applications

BUR52 Allgemeine Beschreibung

DESCRIPTIONThe BUR52 is a silicon multiepitaxial planar NPN transistors in modified Jedec TO-3 metal case, intented for use in switching and linear applications in military and industrial equipment.■ SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE■ NPN TRANSISTOR■ MAINTAINS GOOD SWITCHING PERFORMANCE EVEN WITHOUT NEGATIVE BASE DRIVEAPPLICATIONS■ LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL EQUIPMENT

Spezifikationen

Product Category Bipolar Transistors - BJT REACH Details
Mounting Style Through Hole Transistor Polarity NPN
Configuration Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max 250 V
Collector- Base Voltage VCBO 350 V Emitter- Base Voltage VEBO 10 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V Maximum DC Collector Current 80 A
Pd - Power Dissipation 350 W Gain Bandwidth Product fT 16 MHz
Minimum Operating Temperature - 65 C Maximum Operating Temperature + 200 C
Continuous Collector Current 60 A DC Collector/Base Gain hfe Min 20 at 5 A, 4 V
DC Current Gain hFE Max 100 at 5 A, 4 V Height 9.15 mm
Length 39.12 mm Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity 10 Subcategory Transistors
Technology Si Width 26.67 mm

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In Stock: 5.701

Minimum Order: 1

Menge. Einzelpreis Ext. Preis
1+ $4,668 $4,67
200+ $1,806 $361,20
500+ $1,745 $872,50
1000+ $1,712 $1.712,00

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