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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BUV20 +BOM

Superior switching capability in power electronic circui

Hersteller:

Tt Electronics
Herstellerteil #:

BUV20
Datenblatt:

BUV20 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

125 V
EDA/CAD Modelle:

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BUV20 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 125 V 50 A 8MHz 250 W Chassis Mount TO-3

Anwendung

LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL EQUIPMENT

SWITCHING REGULATORS

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	125 V	Collector- Base Voltage VCBO	160 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.2 V
Maximum DC Collector Current	60 A	Pd - Power Dissipation	250 W
Gain Bandwidth Product fT	8 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 200 C	Continuous Collector Current	50 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	20 at 25 A, 2 V	DC Current Gain hFE Max	60 at 25 A, 2 V
Height	9.15 mm	Length	39.12 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	10
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	26.67 mm

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