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Siehe Technische Spezifikationen

BUV22 +BOM

Product Overview: Bipolar Transistors - BJT with 40A, 250V, 250W ratings

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

BUV22
Datenblatt:

BUV22 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

250 V
EDA/CAD Modelle:

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BUV22 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 40 A 8MHz 250 W Through Hole TO-204 (TO-3)

Hauptmerkmale

Safe and Reliable Performance
High Current Handling up to 30 A
Fast Recovery Time: 0.5 ms at I_C = 20 A
RoHS Compliant

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	250 V	Collector- Base Voltage VCBO	300 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.5 V
Maximum DC Collector Current	40 A	Pd - Power Dissipation	250 mW
Gain Bandwidth Product fT	8 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	40 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	20	Height	8.51 mm
Length	38.86 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	100	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	26.67 mm
Unit Weight	0.056438 oz

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