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Siehe Technische Spezifikationen

BUV298V +BOM

Product BUV298V

Hersteller:

Stmicroelectronics
Herstellerteil #:

BUV298V
Datenblatt:

BUV298V Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1 kV
Emitter- Base Voltage VEBO:

7 V
EDA/CAD Modelle:

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BUV298V Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 50 A 250 W Chassis Mount ISOTOP

Hauptmerkmale

NPN Transistor
High current power bipolar module
Very low Rth junction case
Specific accidental overload areas
Fully insulated package (U.L. compliant) for easy mounting
Low internal parasitic inductance
In compliance with the 2002/93/EC European Directive

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1 kV
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	600 mV
Maximum DC Collector Current	50 A	Pd - Power Dissipation	250 W
Series	BUV298	Continuous Collector Current	50 A
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	10
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Unit Weight	1.058219 oz

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