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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BUV61 +BOM

Si-based power transistor offering high current handlin

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

BUV61
Datenblatt:

BUV61 Datenblatt (PDF)
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

200 V
Collector- Base Voltage VCBO:

300 V
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BUV61 Allgemeine Beschreibung

Housed in a TO-3 case style, the BUV61 offers a robust and compact form factor, facilitating easy integration into various circuit designs. Its RoHS compliance underscores its commitment to environmental sustainability, meeting stringent regulatory standards while delivering exceptional performance

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Transistor Polarity	NPN
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	200 V
Collector- Base Voltage VCBO	300 V	Emitter- Base Voltage VEBO	7 V
Maximum DC Collector Current	50 A	Pd - Power Dissipation	250 W
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 200 C
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Subcategory	Transistors
Technology	Si

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