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BUZ32 +BOM

MOSFET N-Ch 200V 9.5A TO220-3

BUZ32 Allgemeine Beschreibung

With its TO-220AB package and 3-pin configuration, the BUZ32 is easy to install and integrate into electronic circuit designs. The green plastic housing not only provides electrical insulation but also adds a splash of color to your projects

BUZ32

Spezifikationen

Product Category MOSFET Technology GaN
Mounting Style Through Hole Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 200 V
Id - Continuous Drain Current 9.5 A Rds On - Drain-Source Resistance 400 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 75 W
Channel Mode Enhancement Configuration Single
Fall Time 30 ns Height 15.65 mm
Length 10 mm Product Type MOSFET
Rise Time 40 ns Factory Pack Quantity 500
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 55 ns Typical Turn-On Delay Time 10 ns
Width 4.4 mm Part # Aliases BUZ32XK
Unit Weight 0.068784 oz

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In Stock: 5.278

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200+ $0,242 $48,40
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