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Siehe Technische Spezifikationen

FDA20N50F +BOM

Power MOSFET, N-Channel, UniFETTM, FRFET®, 500 V, 22 A, 260 mΩ, TO-3P

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDA20N50F
Datenblatt:

FDA20N50F Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDA20N50F

FDA20N50F Allgemeine Beschreibung

Engineers can benefit from the improved performance and reliability of the FDA20N50F in their power electronics designs. By leveraging the unique features of the UniFET FRFET® MOSFET, they can simplify their circuit designs and achieve better overall system performance. With the FDA20N50F, designers can trust in the enhanced body diode performance and reduced on-state resistance to deliver the efficiency and robustness required in modern power converter applications

Hauptmerkmale

Long lifespan and high durability
Excellent moisture resistance
Easy installation and mounting
Low maintenance required

Anwendung

Reliable and adaptable solution
Efficient for various tasks
Highly recommended for all

Spezifikationen

Source Content uid	FDA20N50F	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Obsolete	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	50 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas)	1110 mJ	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	500 V	Drain Current-Max (ID)	22 A
Drain-source On Resistance-Max	0.26 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	JESD-609 Code	e3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	388 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	88 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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