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Siehe Technische Spezifikationen

FDA24N40F +BOM

Advanced 400V N-Channel MOSFET design for high-reliability operations

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

FDA24N40F
Datenblatt:

FDA24N40F Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDA24N40F

FDA24N40F Allgemeine Beschreibung

The FDA24N40F UniFET MOSFET is a cutting-edge high voltage MOSFET that incorporates advanced planar stripe and DMOS technology. With a focus on minimizing on-state resistance and enhancing switching performance, this MOSFET offers superior avalanche energy strength compared to traditional models. One key feature is the improved reverse recovery performance of the body diode, achieved through meticulous lifetime control. The UniFET FRFET MOSFET boasts a speedy t_rr of less than 100nsec and impressive reverse dv/dt immunity of 15V/ns, surpassing the performance of standard planar MOSFETs. In practical terms, this means a reduction in required components and enhanced system reliability, especially in applications where the MOSFET's body diode plays a crucial role

Hauptmerkmale

Fast switching performance
High voltage rating (400V)
R_DS(on) = 80mΩ @ I_D = 12A

Anwendung

Suitable for a range of purposes.
Adaptable to numerous uses.

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	400 V	Id - Continuous Drain Current	23 A
Rds On - Drain-Source Resistance	190 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V	Qg - Gate Charge	60 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	235 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	UniFET	Series	FDA24N40F
Configuration	Single	Fall Time	75 ns
Height	20.1 mm	Length	16.2 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	92 ns
Factory Pack Quantity	450	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	120 ns
Typical Turn-On Delay Time	40 ns	Width	5 mm
Unit Weight	0.162260 oz

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