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Siehe Technische Spezifikationen

FDB075N15A +BOM

N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 130A, 7.5mΩ

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDB075N15A
Datenblatt:

FDB075N15A Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDB075N15A

FDB075N15A Allgemeine Beschreibung

With the utilization of the advanced PowerTrench^® process, the FDB075N15A N-Channel MOSFET sets the standard for minimizing on-state resistance and maximizing switching performance. Whether you're in the market for a MOSFET for renewable energy systems, motor control, or any other high-power application, the FDB075N15A delivers unparalleled performance and reliability. Its advanced design and construction make it an excellent choice for demanding power management requirements

Hauptmerkmale

High-Speed Operation
Low Power Consumption
Compact Design

Anwendung

Server Power Solutions
Desktop PC Supplies
Uninterrupted Power

Spezifikationen

Source Content uid	FDB075N15A	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	12 Weeks, 5 Days
Additional Feature	ULTRA-LOW RESISTANCE	Avalanche Energy Rating (Eas)	588 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	150 V	Drain Current-Max (ID)	120 A
Drain-source On Resistance-Max	0.0075 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-263AB	JESD-30 Code	R-PSSO-G2
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	175 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	245
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	333 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	522 A	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

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