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Siehe Technische Spezifikationen

FDB088N08 +BOM

N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 85A, 8.8mΩ

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDB088N08
Datenblatt:

FDB088N08 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDB088N08

FDB088N08 Allgemeine Beschreibung

The FDB088N08 is an N-Channel MOSFET that stands out for its efficient design and superior performance. Utilizing the PowerTrench® process, this MOSFET is engineered to reduce on-state resistance to the minimum while ensuring unmatched switching capabilities. Whether you're looking for high power efficiency or fast switching speeds, this MOSFET has got you covered

Hauptmerkmale

High power density
Low noise emission
High efficiency operation
Robust construction

Anwendung

Energy Efficient Solutions
High Performance Computing
Reliable Power Solutions

Spezifikationen

Source Content uid	FDB088N08	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	45 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas)	309 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	75 V
Drain Current-Max (ID)	85 A	Drain-source On Resistance-Max	0.0088 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-263AB
JESD-30 Code	R-PSSO-G2	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	245
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	160 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	340 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

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