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N-Channel PowerTrench® MOSFET 200V, 62A, 27mΩ
TO-263Hersteller:
Herstellerteil #:
FDB2614
Datenblatt:
REACH:
Details
Technology:
Si
Mounting Style:
SMD/SMT
Transistor Polarity:
N-Channel
EDA/CAD Modelle:
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X-Ray inspection ensures product integrity by detecting internal defects without damaging external packaging. It reduces failure rates and enhances production efficiency, making it indispensable in the electronics components industry.
The FDB2614 N-Channel MOSFET showcases exceptional performance capabilities thanks to its innovative PowerTrench® manufacturing process. This process is specifically designed to reduce on-state resistance without compromising on the device's ability to deliver superior switching performance. As a result, users can expect reliable and efficient operation in a variety of applications
Product Category | MOSFET | REACH | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V | Id - Continuous Drain Current | 62 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 22.9 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V | Qg - Gate Charge | 99 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 260 W | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | PowerTrench | Series | FDB2614 |
Configuration | Single | Fall Time | 162 ns |
Forward Transconductance - Min | 72 S | Height | 4.83 mm |
Length | 10.67 mm | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 284 ns | Factory Pack Quantity | 800 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 103 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 77 ns | Width | 9.65 mm |
Unit Weight | 0.139332 oz |
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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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