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Siehe Technische Spezifikationen

FDB2710 +BOM

N-Channel PowerTrench® MOSFET 250V, 50A, 42.5mΩ

Hersteller:

Fairchild Semiconductor
Herstellerteil #:

FDB2710
Datenblatt:

FDB2710 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDB2710

FDB2710 Allgemeine Beschreibung

With the FDB2710, users can expect unparalleled efficiency and reliability due to its optimized design that prioritizes both low resistance and high-speed switching. This combination of features ensures that the MOSFET delivers consistent and responsive performance, making it ideal for a wide range of applications

Hauptmerkmale

High-speed switching with low losses
Excellent thermal performance with low R_DS(on)
Wide operating temperature range
Easy to integrate with other components

Anwendung

Quality Clothing
Affordable Electronics
Stylish Footwear

Spezifikationen

Source Content uid	FDB2710	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	35 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas)	145 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	250 V
Drain Current-Max (ID)	50 A	Drain-source On Resistance-Max	0.0425 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-XSSO-G2
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	245	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	260 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Element Material	SILICON

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