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FDB3632 +BOM

High-power N-Channel MOSFET with PowerTrench® technology, capable of handling up to 80A of current at 100V with a low resistance of 9mΩ

FDB3632 Allgemeine Beschreibung

Introducing the exceptional FDB3632 N-Channel PowerTrench® MOSFET, a cutting-edge component designed to deliver superior performance in power management applications. With a voltage rating of 100V and a current rating of 80A, this MOSFET boasts an impressively low on-resistance of 9mΩ, ensuring efficient power delivery and reduced heat generation. The innovative shielded gate design enhances switching speeds and minimizes QSYNC, resulting in improved overall system efficiency. Additionally, the soft reverse-recovery intrinsic body diode offers enhanced performance in synchronous rectification applications

Hauptmerkmale

  • Robust Electromagnetic Interference
  • High-Speed Logic Compatible
  • Low Power Consumption in Standby Mode

Anwendung

  • IT Infrastructure
  • Server Solutions

Spezifikationen

Product Category MOSFET REACH Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V Id - Continuous Drain Current 80 A
Rds On - Drain-Source Resistance 7.5 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V Qg - Gate Charge 110 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 175 C
Pd - Power Dissipation 310 W Channel Mode Enhancement
Tradename PowerTrench Series FDB3632
Configuration Single Fall Time 46 ns
Height 4.83 mm Length 10.67 mm
Product Type MOSFET Rise Time 39 ns
Factory Pack Quantity 800 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 96 ns Typical Turn-On Delay Time 30 ns
Width 9.65 mm Part # Aliases FDB3632_NL
Unit Weight 0.139332 oz

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