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Siehe Technische Spezifikationen

FDB3682 +BOM

N-Channel Power Trench® MOSFET, 100V, 32A, 36mΩ

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDB3682
Datenblatt:

FDB3682 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDB3682

FDB3682 Allgemeine Beschreibung

FDB3682 stands out as a valuable tool in the management of psychosis, offering relief from the debilitating symptoms that can profoundly impact an individual's daily functioning. As with all antipsychotic medications, the use of FDB3682 requires a comprehensive understanding of its pharmacological properties and potential side effects. Healthcare professionals must exercise caution and vigilance when prescribing and monitoring patients taking FDB3682 to ensure optimal treatment outcomes while minimizing the risk of adverse reactions

Hauptmerkmale

High Voltage Tolerance
R_DSON = 0.1Ω (Typ.), I_D = 10A
Fast Switching Time
Low Gate Charge Q_g(tot) = 5nC (Typ.)
High Frequency Operation
Qualified to IEC61000-4

Anwendung

Adaptable for any use
Suitable for all jobs
Versatile in all ways

Spezifikationen

Source Content uid	FDB3682	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	13 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas)	55 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	100 V
Drain Current-Max (ID)	6 A	Drain-source On Resistance-Max	0.036 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-263AB
JESD-30 Code	R-PSSO-G2	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	245
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	95 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	Matte Tin (Sn) - annealed	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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