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FDC6305N +BOM

FDC6305N is a N-Channel TSOT-23-6 MOSFET with a maximum voltage rating of 20V and a maximum current rating of 2

FDC6305N Allgemeine Beschreibung

With the FDC6305N, Fairchild Semiconductor has achieved a remarkable balance between low on-state resistance and low gate charge, resulting in a MOSFET that delivers exceptional switching performance. This makes it an excellent choice for applications where minimizing power loss and maximizing efficiency are paramount

Hauptmerkmale

  • Fast Charging Capability
  • Intelligent Temperature Control
  • Real-Time Error Detection
  • Advanced Algorithm Processing

Anwendung

  • Great for everyday use.
  • Versatile and reliable choice.
  • Perfect for various applications.

Spezifikationen

Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 2 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
Id - Continuous Drain Current 2.7 A Rds On - Drain-Source Resistance 60 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 400 mV
Qg - Gate Charge 5 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 900 mW
Channel Mode Enhancement Tradename PowerTrench
Series FDC6305N Configuration Dual
Fall Time 8.5 ns Forward Transconductance - Min 8 S
Height 1.1 mm Length 2.9 mm
Product MOSFET Small Signals Product Type MOSFET
Rise Time 8.5 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 2 N-Channel
Type MOSFET Typical Turn-Off Delay Time 11 ns
Typical Turn-On Delay Time 5 ns Width 1.6 mm
Part # Aliases FDC6305N_NL Unit Weight 0.001270 oz

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