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FDC6312P +BOM

The FDC6312P from ON Semiconductor is a dual P channel MOSFET offering 2.3A and 20V capabilities in an SSOT6 package, packaged on a reel

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

FDC6312P
Datenblatt:

FDC6312P Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDC6312P

FDC6312P Allgemeine Beschreibung

The FDC6312P is a small signal field-effect transistor with dual P-channel PowerTrench MOSFET capabilities. It features a 1.8V threshold voltage, making it ideal for low-power applications, while its 2.3A continuous drain current and 20V drain-source voltage rating provide ample performance for power management and load switching tasks. With its small size and high efficiency, the FDC6312P is a versatile solution for space-constrained applications

Hauptmerkmale

–1.2 A, –15 V
R_DS(ON) = 35 mΩ @ V_GS = –3.5 V
High current handling capability
Excellent thermal stability

Anwendung

Highly recommended product
Works well in all situations
Essential for your work

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	2.3 A	Rds On - Drain-Source Resistance	115 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.5 V
Qg - Gate Charge	7 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	960 mW
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDC6312P	Configuration	Dual
Fall Time	13 ns	Forward Transconductance - Min	5.3 S
Height	1.1 mm	Length	2.9 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Rise Time	13 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	2 P-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	18 ns
Typical Turn-On Delay Time	8 ns	Width	1.6 mm
Part # Aliases	FDC6312P_NL	Unit Weight	0.001270 oz

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