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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FDC636P +BOM

SSOT-6 P-CH -20V MOSFET FDC636P

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDC636P
Datenblatt:

FDC636P Datenblatt (PDF)
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

2.8A (Ta)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDC636P

FDC636P Allgemeine Beschreibung

P-Channel 20 V 2.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Hauptmerkmale

-2.8 A, -20 V. RDS(ON) = 0.130 Ω @ VGS = -4.5 V RDS(ON) = 0.180 Ω @ VGS = -2.5 V.
SuperSOTTM-6 package design using copper lead frame for superior thermal and electrical capabilities.
High density cell design for extremely low RDS(ON).
Exceptional on-resistance and maximum DC current capability.

Spezifikationen

FET Type	P-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±8V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	390 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)	1.6W (Ta)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	FDC636

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