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Siehe Technische Spezifikationen

FDC699P +BOM

a 20v 0.022ohm power silicon

Hersteller:

Fairchild Semiconductor
Herstellerteil #:

FDC699P
Datenblatt:

FDC699P Datenblatt (PDF)
Series:

PowerTrench®
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

20 V
EDA/CAD Modelle:

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FDC699P Allgemeine Beschreibung

Housed in a compact and thermally efficient PowerTrench package, the FDC699P delivers enhanced performance while ensuring easy installation on circuit boards. Its low on-resistance of 0.6 ohms and rapid switching speed further underline its suitability for demanding tasks. Furthermore, the FDC699P boasts a low gate charge and capacitance, effectively reducing switching losses and enhancing overall efficiency

Spezifikationen

Series	PowerTrench®	FET Type	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7A (Ta)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 7A, 4.5V	Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38 nC @ 5 V	Vgs (Max)	±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2640 pF @ 10 V	Power Dissipation (Max)	2W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount

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