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200V UniFET N-Channel MOSFET
DPAKHersteller:
Herstellerteil #:
FDD18N20LZ
Datenblatt:
Pbfree Code:
Yes
Part Life Cycle Code:
Active
Reach Compliance Code:
not_compliant
ECCN Code:
EAR99
EDA/CAD Modelle:
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With a focus on providing optimum performance, the FDD18N20LZ MOSFET boasts higher avalanche energy strength, making it a reliable choice for a range of switching power converter applications. This includes power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX, and electronic lamp ballasts
Source Content uid | FDD18N20LZ | Pbfree Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Active | Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 25 Weeks |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 320 mJ | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 200 V |
Drain Current-Max (ID) | 16 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.13 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-252AA |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 89 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 64 A | Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | YES | Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - annealed |
Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1+ | - | - |
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