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Siehe Technische Spezifikationen

FDD2572 +BOM

N-Channel Power Trench^® MOSFET, 150V, 29A, 54mΩ

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDD2572
Datenblatt:

FDD2572 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDD2572

FDD2572 Allgemeine Beschreibung

N-Channel Power Trench^® MOSFET, 150V, 29A, 54mΩ

Hauptmerkmale

I_D = 18A (Typ.), High Current Handling, Low RDS(ON)
Low Miller Charge, High Power Density
Q_g(tot) = 32nC (Typ.), V_GS = 11V, Fast Switching Time
r_n(Typ.) = 20Ω, Low RDS(ON), High Efficiency
V_D(SAT) = 1.5V (Typ.), I_D = 14A (Max.), Fast Response Time
I_B = 4mA (Min.), Low Current Consumption, High Power Density

Anwendung

Multi-functional and reliable.
High-quality product for all.
Flexible solution for you.

Spezifikationen

Source Content uid	FDD2572	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	4 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas)	36 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	150 V
Drain Current-Max (ID)	4 A	Drain-source On Resistance-Max	0.054 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-252AA
JESD-30 Code	R-PSSO-G2	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	135 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	Matte Tin (Sn) - annealed	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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