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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FDD3672 +BOM

Tape and reel pack of N-channel MOSFET with a maximum voltage rating of 100V and current rating of 6.5A in DPAK package

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDD3672
Datenblatt:

FDD3672 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDD3672

FDD3672 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 100 V 6.5A (Ta), 44A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Hauptmerkmale

Ultra-High Frequency Operation
Low Loss Performance
Compact Packaging
High Power Density
Thermal Feedback Control
Improved Efficiency

Anwendung

This versatile product is perfect for any task.
Use this item for a variety of purposes.
Great for multiple projects, this product delivers.

Spezifikationen

Source Content uid	FDD3672	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	51 Weeks, 4 Days
Avalanche Energy Rating (Eas)	120 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	100 V
Drain Current-Max (ID)	6.5 A	Drain-source On Resistance-Max	0.028 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-252AA
JESD-30 Code	R-PSSO-G2	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	135 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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