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Siehe Technische Spezifikationen

FDD4685 +BOM

channel, 8.4A, 40V, 0.042ohm

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

FDD4685
Datenblatt:

FDD4685 Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel

FDD4685 Allgemeine Beschreibung

The cutting-edge PowerTrench® technology employed in the production of product FDD4685 sets it apart from other P-Channel MOSFETs on the market. With a focus on achieving low rDS(on) and exceptional switching characteristics, this MOSFET boasts superior performance in a variety of applications. Whether you're looking to maximize efficiency in your power systems or improve the performance of your electronic devices, the FDD4685 is designed to meet your needs with precision and reliability

Hauptmerkmale

Advanced power management technology
Efficient current control systems
Ultra-low r_DS(on) performance
Pulse-width modulation for precision
Silicon carbide diode applications
High-speed switching device capabilities

Anwendung

Handy for various projects.
Suitable for different needs.
Functional in a variety of tasks.

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	P-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V	Id - Continuous Drain Current	32 A
Rds On - Drain-Source Resistance	27 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V	Qg - Gate Charge	27 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	69 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	PowerTrench	Series	FDD4685
Configuration	Single	Fall Time	14 ns
Height	2.39 mm	Length	6.73 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	15 ns
Factory Pack Quantity	2500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	34 ns
Typical Turn-On Delay Time	8 ns	Width	6.22 mm
Unit Weight	0.011640 oz

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