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Siehe Technische Spezifikationen

FDD770N15A +BOM

Ideal for applications requiring N-Channel operation

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

FDD770N15A
Datenblatt:

FDD770N15A Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel

FDD770N15A Allgemeine Beschreibung

Engineered with precision and expertise, the FDD770N15A MOSFET is the ideal choice for applications requiring high performance and efficiency. Thanks to its advanced PowerTrench process, this MOSFET offers low on-state resistance and superior switching capabilities, ensuring smooth operation and optimal power distribution. Upgrade your electronic designs with the reliable and innovative FDD770N15A MOSFET

Hauptmerkmale

R_DS(off) = 30mΩ (Typ.) @ V_GS = 5V, I_D = 15A
Silicon Gate Structure
High Frequency Response

Anwendung

Home Accessories
Electrical Items
Sophisticated Tools

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	150 V	Id - Continuous Drain Current	18 A
Rds On - Drain-Source Resistance	61 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V	Qg - Gate Charge	8.4 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	56.8 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	PowerTrench	Series	FDD770N15A
Configuration	Single	Fall Time	2.8 ns
Forward Transconductance - Min	20 S	Height	2.39 mm
Length	6.73 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	3.1 ns	Factory Pack Quantity	2500
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	15.8 ns	Typical Turn-On Delay Time	10.3 ns
Width	6.22 mm	Unit Weight	0.011640 oz

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