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Siehe Technische Spezifikationen

FDD86102 +BOM

100V 24mΩ@10V,8A 4V@250uA N Channel TO-252(DPAK) MOSFETs ROHS

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

FDD86102
Datenblatt:

FDD86102 Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel

FDD86102 Allgemeine Beschreibung

Engineered with an advanced Power Trench^® process, the FDD86102 N-Channel MOSFET is finely tuned to deliver exceptional r_DS(on), ruggedness, and switching performance. This results in a highly reliable and efficient component suitable for a wide array of power supply, motor control, and automotive applications

Hauptmerkmale

Ultra-low r_DS(on) for high efficiency
Compact size, high current capability
Rapid switching for reduced EMI
Low Q_g and Q_gd for minimized energy loss
High power handling in a small package
Fast recovery time for reduced stress

Anwendung

Flexible and multipurpose item
Suitable for diverse tasks
Useful in different situations

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V	Id - Continuous Drain Current	8 A
Rds On - Drain-Source Resistance	19 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3.1 V	Qg - Gate Charge	13.4 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 125 C
Pd - Power Dissipation	3.1 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	PowerTrench	Series	FDD86102
Configuration	Single	Forward Transconductance - Min	21 S
Height	2.39 mm	Length	6.73 mm
Product Type	MOSFET	Factory Pack Quantity	2500
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Width	6.22 mm	Unit Weight	0.011640 oz

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