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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FDG311N +BOM

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V Specified, 1.9 A, 115 mΩ

Hersteller:

Fairchild Semiconductor
Herstellerteil #:

FDG311N
Datenblatt:

FDG311N Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

6
Configuration:

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDG311N

FDG311N Allgemeine Beschreibung

The FDG311N N-Channel MOSFET is a cutting-edge component crafted with precision using the latest PowerTrench technology. With a focus on reducing on-state resistance while keeping gate charge low, this MOSFET promises outstanding switching capabilities that are ideal for use in portable electronics

Hauptmerkmale

Very low gate charge (1nC typical)
Extremely high R_DS(ON)
R_DS(ON) = 0.025 Ω @ V_GS = 2.5 V
Suitable for high-frequency applications
High-speed operation up to 200 kHz
Industry standard SC70-6 surface mount package

Anwendung

A must-have for multiple tasks.
Works well in diverse settings.
Applicable in various scenarios.

Spezifikationen

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	6	Reach Compliance Code
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	20 V
Drain Current-Max (ID)	1.9 A	Drain-source On Resistance-Max	0.105 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PDSO-G6
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	6
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Qualification Status	COMMERCIAL
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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