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Siehe Technische Spezifikationen

FDG6301N +BOM

Dual N-Channel Digital FET 25 V, 0.22 A, 4 Ω

Hersteller:

ON
Herstellerteil #:

FDG6301N
Datenblatt:

FDG6301N Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDG6301N

FDG6301N Allgemeine Beschreibung

Boasting a very high density process, the FDG6301N sets a new standard for field effect transistors. Its logic level enhancement mode ensures seamless integration into modern electronic systems, while its dual N-Channel configuration offers increased flexibility for circuit design. Ideal for low voltage applications, this transistor is a reliable option for replacing outdated digital transistors and MOSFETs. The FDG6301N is a testament to innovation and quality in the realm of semiconductor technology

Hauptmerkmale

Robust ESD protection up to 2 kV.
Compact QFN package.
Operating temperature range -40°C to 150°C.
Suitable for automotive applications.

Anwendung

Practical for many uses

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	25 V
Id - Continuous Drain Current	220 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	4 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	650 mV
Qg - Gate Charge	400 pC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	300 mW
Channel Mode	Enhancement	Series	FDG6301N
Configuration	Dual	Fall Time	4.5 ns
Forward Transconductance - Min	0.2 S	Height	1.1 mm
Length	2 mm	Product	MOSFET Small Signals
Product Type	MOSFET	Rise Time	4.5 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	2 N-Channel	Type	FET
Typical Turn-Off Delay Time	4 ns	Typical Turn-On Delay Time	5 ns
Width	1.25 mm	Part # Aliases	FDG6301N_NL
Unit Weight	0.000988 oz

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