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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FDG6332C +BOM

Package Type: 6-Pin SC-70

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

FDG6332C
Datenblatt:

FDG6332C Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel, P-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDG6332C

FDG6332C Röntgeninspektion

X-Ray inspection ensures product integrity by detecting internal defects without damaging external packaging. It reduces failure rates and enhances production efficiency, making it indispensable in the electronics components industry.

FDG6332C Allgemeine Beschreibung

Engineered with precision and innovation, the FDG6332C N & P-Channel MOSFETs set a new standard for power management components. Their specialized PowerTrench process delivers superior performance in terms of on-state resistance and switching characteristics, making them a standout choice for demanding applications. The compact size of these devices further enhances their versatility, making them a practical solution for projects where space optimization is paramount

Hauptmerkmale

Low thermal resistance, high reliability
High current capability, long lifespan
Rapid response time, precise control

Anwendung

Suitable for various purposes.

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel, P-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	700 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	300 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	600 mV, 1.5 V
Qg - Gate Charge	1.5 nC, 2 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	300 mW
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDG6332C	Configuration	Dual
Fall Time	7 ns, 14 ns	Forward Transconductance - Min	2.8 S, 1.8 S
Height	1.1 mm	Length	2 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Rise Time	7 ns, 14 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel, 1 P-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	9 ns, 6 ns
Typical Turn-On Delay Time	5 ns, 5.5 ns	Width	1.25 mm
Part # Aliases	FDG6332C_NL	Unit Weight	0.000988 oz

Servicerichtlinien und andere

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