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Siehe Technische Spezifikationen

FDH055N15A +BOM

N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 167A, 5.9mΩ

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDH055N15A
Datenblatt:

FDH055N15A Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDH055N15A

FDH055N15A Allgemeine Beschreibung

With the FDH055N15A, users can benefit from the latest advancements in MOSFET technology. The PowerTrench process utilized in this product allows for unprecedented control over on-state resistance, ensuring minimal power loss and maximum efficiency. Additionally, the superior switching performance of this MOSFET makes it a reliable choice for a wide range of applications, from consumer electronics to industrial systems

Hauptmerkmale

Compact and Lightweight Design
Superior Noise Reduction
Enhanced Magnetic Shielding
Optimized Cooling System
High-Strength Steel Housing
Robust EMI Filter

Anwendung

Industrial Usage
Home Appliances
Emergency Power

Spezifikationen

Source Content uid	FDH055N15A	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	48 Weeks
Additional Feature	ULTRA-LOW RESISTANCE	Avalanche Energy Rating (Eas)	835 mJ
Configuration	COMPLEX	DS Breakdown Voltage-Min	150 V
Drain Current-Max (ID)	156 A	Drain-source On Resistance-Max	0.0059 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-247AB
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	JESD-609 Code	e3
Number of Elements	2	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	175 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	429 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	668 A
Surface Mount	NO	Terminal Finish	Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form	THROUGH-HOLE	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

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