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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FDH15N50 +BOM

MOSFET 15A 500V N-Channel UltraFET

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

FDH15N50
Datenblatt:

FDH15N50 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDH15N50

FDH15N50 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 500 V 15A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247-3

Hauptmerkmale

Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and High Reapplied dv/dt Ruggedness
Reduced r DS(ON)
Reduced Miller Capacitance and Low Input Capacitance
Improved Switching Speed with Low EMI
175°C Rated Junction Temperature

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	500 V
Id - Continuous Drain Current	15 A	Rds On - Drain-Source Resistance	380 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	300 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	5 ns	Forward Transconductance - Min	10 S
Height	20.82 mm	Length	15.87 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	5.4 ns
Factory Pack Quantity	150	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	26 ns	Typical Turn-On Delay Time	9 ns
Width	4.82 mm	Unit Weight	0.211644 oz

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