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Siehe Technische Spezifikationen

FDMA1029PZ +BOM

Transistor MOSFET Array Dual P-Channel 20V 3.1A 6-Pin MicroFET T/R

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDMA1029PZ
Datenblatt:

FDMA1029PZ Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDMA1029PZ

FDMA1029PZ Allgemeine Beschreibung

Specifically designed for ultra-portable devices, the FDMA1029PZ offers exceptional thermal performance in a compact MicroFET™ 2x2 package. This makes it well-suited for linear mode applications where space is at a premium. Its efficient design and low on-state resistance ensure minimal energy wastage, while its bi-directional current flow capability adds further flexibility to its use

Hauptmerkmale

High-speed, low-power
Fast switching time, high reliability
R_DS(ON) = 100 mΩ @ V_GS = -2.5V
Silicon-controlled rectifier (SCR) compatible
Economical and reliable performance
Compact, surface-mount package

Anwendung

Powerful RF amplification
High-quality transmission
56V transistor technology

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	3.1 A	Rds On - Drain-Source Resistance	60 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.5 V
Qg - Gate Charge	10 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.4 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDMA1029PZ	Configuration	Dual
Fall Time	11 ns	Forward Transconductance - Min	- 11 S
Height	0.75 mm	Length	2 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Rise Time	11 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	2 P-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	37 ns
Typical Turn-On Delay Time	13 ns	Width	2 mm
Unit Weight	0.001411 oz

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