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Siehe Technische Spezifikationen

FDMA410NZT +BOM

Advanced N-channel MOSFET with built-in Zener diode for robust voltage regulation and surge protection capabilities

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDMA410NZT
Datenblatt:

FDMA410NZT Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDMA410NZT

FDMA410NZT Allgemeine Beschreibung

With the FDMA410NZT, engineers can benefit from a MOSFET that combines cutting-edge technology with a compact and resilient package design. The advanced 0.55mm max 2x2 MLP packaging technology enhances the overall performance and longevity of this MOSFET, while the special MicroFET leadframe ensures reliable operation in demanding environments. Whether used in consumer electronics, industrial machinery, or automotive systems, the FDMA410NZT sets a new standard for N-Channel MOSFETs in terms of efficiency, durability, and versatility

Hauptmerkmale

Ergonomic design for comfortable grip
Compact size ideal for handheld devices
Silicone rubber coating provides grip and durability
Packed with advanced features at an affordable price
Magnetic connector for easy charging and syncing
Durable construction withstands daily wear and tear

Anwendung

Suitable for multiple tasks
Easy to use in any setting
Reliable for all applications

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	9.5 A	Rds On - Drain-Source Resistance	60 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	400 mV
Qg - Gate Charge	10 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2.4 W
Channel Mode	Enhancement	Series	FDMA410NZT
Configuration	Single	Fall Time	3.3 ns
Forward Transconductance - Min	36 S	Height	0.55 mm
Length	2.05 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	3 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	27 ns	Typical Turn-On Delay Time	8.5 ns
Width	2.05 mm	Unit Weight	0.001411 oz

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