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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FDMA6676PZ +BOM

Single P-Channel PowerTrench® MOSFET -30V, -11A, 13.5mΩ

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDMA6676PZ
Datenblatt:

FDMA6676PZ Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

End Of Life
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99

FDMA6676PZ Allgemeine Beschreibung

With its ultra low resistance and optimized voltage rails, the FDMA6676PZ offers an efficient and reliable solution for power line load switching applications and reverse polarity protection. Its small 2x2x0.8 form factor makes it an ideal choice for space-constrained applications, while its enhanced VGS rating of 25V simplifies installation. Whether used for battery protection, input power line protection, or charge path protection, this P-Channel FET provides a versatile and convenient solution for a range of electronic systems

Hauptmerkmale

Ultra Low RDS(on) Resistance
Advanced WDFN Package Design
Silicone-Based Insulation
Pb-Free and Halogen Free

Anwendung

Remote Monitoring
Wireless Connectivity
Data Acquisition

Spezifikationen

Source Content uid	FDMA6676PZ	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	End Of Life	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Additional Feature	ULTRA LOW RESISTANCE
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	30 V	Drain Current-Max (ID)	11 A
Drain-source On Resistance-Max	0.0135 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)	690 pF	JESD-30 Code	S-PDSO-N3
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	2.4 W
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	NO LEAD	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

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