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Siehe Technische Spezifikationen

FDMC510P-F106 +BOM

MOSFET, Power MOSFET, 20V P-Channel, 8mΩ @ 4.5V, 50A, MLP 3.3x3.3

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDMC510P-F106
Datenblatt:

FDMC510P-F106 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDMC510P-F106

FDMC510P-F106 Allgemeine Beschreibung

MOSFET, Power MOSFET, 20V P-Channel, 8mΩ @ 4.5V, 50A, MLP 3.3x3.3

Hauptmerkmale

Ultra Low RDS(on)
Terminal Lead-Free and Halide Free

Anwendung

Battery Management
Load Switch

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	18 A	Rds On - Drain-Source Resistance	6.4 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	116 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	41 W
Channel Mode	Enhancement	Series	FDMC510P
Configuration	Single	Fall Time	170 ns
Forward Transconductance - Min	75 S	Product Type	MOSFET
Rise Time	34 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	338 ns	Typical Turn-On Delay Time	15 ns
Part # Aliases	FDMC510P_F106	Unit Weight	0.010582 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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