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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FDMC8010DC +BOM

High-voltage power switch for demanding applicatio

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDMC8010DC
Datenblatt:

FDMC8010DC Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDMC8010DC

FDMC8010DC Allgemeine Beschreibung

Incorporating cutting-edge PowerTrench® technology, the FDMC8010DC N-Channel MOSFET offers superior performance and reliability. Its innovative design, coupled with advanced silicon and Dual Cool™ package technologies, results in the lowest rDS(on) and exceptional switching performance. Moreover, its remarkably low Junction-to-Ambient thermal resistance enhances its overall efficiency and operational stability

Hauptmerkmale

High-Speed Data Transmission with Low Signal Attenuation
Robust ESD Protection and High Surge Withstand Capability
Rapid Diode Turn-On and Turn-Off for Improved Efficiency

Anwendung

Perfect for all your needs.
Great for everyday use.
Versatile and reliable product.

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	157 A	Rds On - Drain-Source Resistance	1.28 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	94 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	50 W
Channel Mode	Enhancement	Series	FDMC8010DC
Configuration	Single	Height	0.8 mm
Length	3.3 mm	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Width	3.3 mm	Unit Weight	0.001376 oz

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