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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FDMC86106LZ +BOM

Power MOSFET transistor featuring N-channel design for high voltage (100V) and current (3

Hersteller:

Fairchild Semiconductor
Herstellerteil #:

FDMC86106LZ
Datenblatt:

FDMC86106LZ Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDMC86106LZ

FDMC86106LZ Allgemeine Beschreibung

N-Channel 100 V 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) 2.3W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

Hauptmerkmale

Top-side cooling, lower thermal resistance from junction to top
Same land pattern as 5 mm x 6 mm and 3.3 mm x 3.3 mm PQFN – JEDEC standard
Allows higher current and power dissipation
Highest power density for DC-DC applications
Use with or without a heat sink, reduces the number of qualifed components in the BOM
Multiple suppliers without cross licensing requirements
High degree of production commonality with standard PQFN packaging
25 V - 150 V portfolio

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	103mOhm @ 3.3A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6 nC @ 10 V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	310 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)	2.3W (Ta), 19W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	FDMC86

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