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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FDMS0312S +BOM

Advanced PowerTrench design for reduced on-state resistan

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDMS0312S
Datenblatt:

FDMS0312S Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDMS0312S

FDMS0312S Allgemeine Beschreibung

The FDMS0312S represents a breakthrough in power conversion technology, offering unparalleled efficiency and performance. Through the use of advanced silicon and package technologies, this product delivers the lowest rDS(on) and exceptional switching performance. Its efficient monolithic Schottky body diode adds another layer of reliability, making it an ideal choice for power conversion applications where minimal losses and superior performance are crucial

Hauptmerkmale

High-speed switching and low power consumption
Ultra-low RDS(on) for reduced power loss in high-current applications
Advanced package design for improved thermal performance and reliability
Fast turn-off transitions with robust Schottky body diode
100% tested for quality assurance
RoHS compliant for environmental safety

Anwendung

Great for all your needs
Versatile and reliable
Perfect for any task

Spezifikationen

Source Content uid	FDMS0312S	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	4 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas)	60 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	30 V
Drain Current-Max (ID)	19 A	Drain-source On Resistance-Max	0.0044 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	MO-240AA
JESD-30 Code	R-PDSO-F5	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	5	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	46 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	90 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form	FLAT	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

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