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Siehe Technische Spezifikationen

FDMS3604S +BOM

30V-rated MOSFET with a low on-resistance of 0.0068ohm, ideal for power management circuits

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

FDMS3604S
Datenblatt:

FDMS3604S Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDMS3604S

FDMS3604S Allgemeine Beschreibung

Elevate your power electronics designs with the FDMS3604S, a revolutionary product that redefines efficiency and performance in the industry. Featuring dual specialized N-Channel MOSFETs in a compact PQFN package, this device offers unparalleled versatility and ease of integration for various applications. The internal connection of the switch node enables seamless placement and routing of synchronous buck converters, simplifying the design process and reducing time-to-market. With the control MOSFET (Q1) and synchronousSyncFET (Q2) delivering optimized power efficiency, the FDMS3604S is a must-have component for engineers looking to maximize the performance of their systems

Hauptmerkmale

Rise/fall time reduction
Inherent noise immunity
High-speed switching capability

Anwendung

Sleek
Stylish
Compact

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V	Id - Continuous Drain Current	13 A, 23 A
Rds On - Drain-Source Resistance	2.2 mOhms, 5.8 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.7 V, 3 V	Qg - Gate Charge	21 nC, 47 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	2.2 W, 2.5 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	Power Stage PowerTrench	Series	FDMS3604S
Configuration	Dual	Fall Time	2.2 ns, 3.4 ns
Forward Transconductance - Min	61 S, 130 S	Height	1.1 mm
Length	6 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	2.5 ns, 4.8 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	20 ns, 31 ns	Typical Turn-On Delay Time	8.2 ns, 13 ns
Width	5 mm	Unit Weight	0.006032 oz

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