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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FDMS6673BZ +BOM

P-Channel PowerTrench® MOSFET -30V, -82A, 6.8mΩ

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDMS6673BZ
Datenblatt:

FDMS6673BZ Datenblatt (PDF)
Series:

PowerTrench®
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDMS6673BZ

FDMS6673BZ Allgemeine Beschreibung

The FDMS6673BZ is engineered with the goal of reducing power losses in load switch applications. By leveraging cutting-edge silicon and package technologies, this product is able to deliver the lowest RDS(on) and superior ESD protection. This ensures that the load switch operates with maximum efficiency, ultimately leading to improved overall system performance and energy savings

Hauptmerkmale

Fault-tolerant design for increased availability
Compact MSL1 package size for space-sensitive applications
Compliant with RoHS environmental regulations

Anwendung

An essential tool to have
Useful for multiple purposes
Highly recommended product

Spezifikationen

Series	PowerTrench®	FET Type	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	15.2A (Ta), 28A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8mOhm @ 15.2A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5915 pF @ 15 V	Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 73W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	FDMS6673

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