Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FDMS7600AS +BOM

Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDMS7600AS
Datenblatt:

FDMS7600AS Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDMS7600AS

FDMS7600AS Allgemeine Beschreibung

The FDMS7600AS is a cutting-edge device featuring two specialized N-Channel MOSFETs housed in a dual-MLP package. With the switch node conveniently internally connected, designers can easily set up and route synchronous buck converters for optimal performance. The control MOSFET (Q1) and synchronous SyncFET™ (Q2) have been meticulously engineered to deliver superior power efficiency, making this product a standout choice for energy-conscious applications

Hauptmerkmale

Smart Home Automation
Wireless Connectivity
Max. Range = 30 ft
Energy-Efficient Design
Less Power Consumption
Fast Charging Technology
Compact and Portable Design
Ruggedized for Outdoor Use
IP65 Water Resistance

Anwendung

A must-have for any project.
Perfect for everyday use.
Efficient and multifunctional.

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	30 A, 40 A	Rds On - Drain-Source Resistance	7.5 mOhms, 2.8 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.8 V, 1.5 V
Qg - Gate Charge	20 nC, 81 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench SyncFET
Series	FDMS7600AS	Configuration	Dual
Fall Time	2.3 ns, 5.2 ns	Forward Transconductance - Min	63 S, 190 S
Height	0.8 mm	Length	6 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	2.5 ns, 7.6 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	2 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	20 ns, 45 ns
Typical Turn-On Delay Time	8.6 ns, 18 ns	Width	5 mm
Unit Weight	0.007443 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..