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Siehe Technische Spezifikationen

FDMS7620S-F106 +BOM

Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDMS7620S-F106
Datenblatt:

FDMS7620S-F106 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDMS7620S-F106

FDMS7620S-F106 Allgemeine Beschreibung

Thanks to its gate threshold voltage of 1.5V and gate charge of 32nC, the FDMS7620S-F106 delivers swift switching capabilities and reduced switching losses, enhancing overall efficiency in power management circuits. Its low gate-source leakage current ensures consistent operation across varying temperatures, guaranteeing a stable and dependable performance in a wide range of operating conditions

Hauptmerkmale

This power device has a high current handling capacity and low on-resistance
Fast switching performance makes it suitable for high-frequency applications
Compact design ensures efficient thermal management
Low gate charge enables reduced power consumption

Anwendung

Device
Innovation
Machine

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	12.4 A	Rds On - Drain-Source Resistance	20 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.2 V
Qg - Gate Charge	15.6 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2.5 W
Series	FDMS7620S	Configuration	Dual
Fall Time	1.5 ns	Forward Transconductance - Min	53 S
Height	1.1 mm	Length	6 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	1.8 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	2 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	17.4 ns
Typical Turn-On Delay Time	6.6 ns	Width	5 mm
Part # Aliases	FDMS7620S_F106	Unit Weight	0.008818 oz

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