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FDMS86300 +BOM

Sorted description of product FDMS86300: Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R

FDMS86300 Allgemeine Beschreibung

Elevating performance to new heights, the FDMS86300 MOSFET stands out as a game-changer in the realm of power electronics. Boasting superior attributes such as minimal gate charge, ultra-low rDS(on), rapid switching speed, and unmatched body diode reverse recovery performance, this innovative component is poised to transform the efficiency and effectiveness of DC/DC converters across various industrial applications

Hauptmerkmale

  • High-speed digital interface for fast data transfer
  • Multi-bit architecture for enhanced processing capabilities
  • Rapid thermal cycling for improved reliability
  • Silicon dioxide passivation for surface protection

Anwendung

  • Superior quality, low cost
  • Efficient and reliable
  • Compact design for easy installation

Spezifikationen

Product Category MOSFET REACH Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 80 V Id - Continuous Drain Current 42 A
Rds On - Drain-Source Resistance 5.5 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3.4 V Qg - Gate Charge 59 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 104 W Channel Mode Enhancement
Tradename PowerTrench Series FDMS86300
Configuration Single Fall Time 9 ns
Forward Transconductance - Min 60 S Height 1.1 mm
Length 6 mm Product Type MOSFET
Rise Time 26 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 36 ns Typical Turn-On Delay Time 31 ns
Width 5 mm Unit Weight 0.002402 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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