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FDMS86310 +BOM

Compact pin package for space-constrained desig

FDMS86310 Allgemeine Beschreibung

Designed with precision and attention to detail, the FDMS86310 MOSFET is a game-changer in the world of power electronics. Its advanced features make it the perfect choice for applications where efficiency and reliability are paramount. The low gate charge and fast switching speed of this N-Channel MOSFET ensure smooth operation and minimal power loss. Additionally, its superior reverse recovery performance sets it apart from other options on the market

Hauptmerkmale

  • High-Speed and Low VDS(on)
  • Efficiency Up to 98% at Full Load
  • Packed with Advanced Silicon Technology

Anwendung

  • Compact Power Solution
  • Reliable Power Module

Spezifikationen

Product Category MOSFET REACH Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 80 V Id - Continuous Drain Current 17 A
Rds On - Drain-Source Resistance 6.7 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.4 V Qg - Gate Charge 95 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 96 W Channel Mode Enhancement
Tradename PowerTrench Series FDMS86310
Configuration Single Height 1.1 mm
Length 6 mm Product Type MOSFET
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Width 5 mm
Unit Weight 0.002402 oz

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