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Siehe Technische Spezifikationen

FDMS86369 +BOM

7.5MOHM PQFN8 FET MOSFET 80V

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

FDMS86369
Datenblatt:

FDMS86369 Datenblatt (PDF)
Series:

PowerTrench®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

80 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDMS86369

FDMS86369 Allgemeine Beschreibung

Featuring a compact PQFN package, the FDMS86369 offers a space-efficient solution for circuit layouts while improving thermal management. This innovative MOSFET also includes a top-side cooling pad, which aids in heat dissipation and enhances overall system reliability. Whether used in automotive, industrial, or consumer electronics, this high-speed MOSFET is designed to meet the demands of modern power switching applications

Spezifikationen

Series	PowerTrench®	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	65A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5mOhm @ 65A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	46 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2470 pF @ 40 V	Power Dissipation (Max)	107W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount

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