Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

FDMS8660AS +BOM

TRANS MOSFET N-CH 30V 28A 8PIN PWR 56

Hersteller:

FAIRCHILD
Herstellerteil #:

FDMS8660AS
Datenblatt:

FDMS8660AS Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDMS8660AS

FDMS8660AS Allgemeine Beschreibung

With the FDMS8660AS, users can expect top-notch quality and reliability thanks to its innovative design and construction. The monolithic Schottky body diode further enhances its performance, providing an efficient solution for power conversion needs. This device is a testament to the constant advancements in technology that drive progress in the field of electronics

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	28 A	Rds On - Drain-Source Resistance	2.1 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2.5 W
Channel Mode	Enhancement	Series	FDMS8660AS
Configuration	Single	Fall Time	5 ns
Height	1.1 mm	Length	6 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	8 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	42 ns
Typical Turn-On Delay Time	16 ns	Width	5 mm
Unit Weight	0.002402 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..