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Siehe Technische Spezifikationen

FDMS8670AS +BOM

Silicon N-Channel MOSFET, 30V Voltage Rating, 23A Current Capacity, 8-Pin Power Package, Tape and Reel Format

Hersteller:

Fairchild Semiconductor
Herstellerteil #:

FDMS8670AS
Datenblatt:

FDMS8670AS Datenblatt (PDF)
Series:

PowerTrench®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an FDMS8670AS

FDMS8670AS Allgemeine Beschreibung

N-Channel 30 V 23A (Ta), 42A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Hauptmerkmale

Max rDS(on) = 3.9 mΩ at VGS = 10 V, ID = 19 A
Max rDS(on) = 5.5 mΩ at VGS = 8 V, ID = 15.5 A
Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery
MSL1 robust package design
100% UIL tested
RoHS Compliant

Spezifikationen

Series	PowerTrench®	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	23A (Ta), 42A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3mOhm @ 23A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3615 pF @ 15 V	Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 78W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount

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After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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